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薄膜电阻在潮湿的条件下极易自蚀。浸入封装过程中，水蒸汽会带入杂质，产生的化学腐蚀会在低压直流应用几小时内造成薄膜电阻开路。改变薄膜厚度会严重影响TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化，因此高阻值薄膜电阻退化率非常高。厚膜电阻如前所述，受尺寸、体积和重量的影响，线绕电阻不可能采用晶片型。尽管精度低于线绕电阻，但由于具有更高的电阻密度(高阻值/小尺寸)且成本更低，厚膜电阻得到使用。与薄膜电阻和金属箔电阻一样，厚膜电阻频响速度快，但在目前使用的电阻技术中，其噪声。虽然精度低于其他技术，但我们之所以在此讨论厚膜电阻技术，是由于其应用于几乎每一种电路，包括高精密电路中精度要求不高的部分。厚膜电阻依靠玻璃基体中粒子间的接触形成电阻。这些触点构成完整电阻，但工作中的热应变会中断接触。由于大部分情况下并联，厚膜电阻不会开路，但阻值会随着时间和温度持续增加。因此，与其他电阻技术相比，厚膜电阻稳定性差(时间、温度和功率)。由于结构中成串的电荷运动，粒状结构还会使厚膜电阻产生很高的噪声。给定尺寸下，电阻值越高，金属成份越少，噪声越高，稳定性越差。厚膜电阻结构中的玻璃成分在电阻加工过程中形成玻璃相保护层。电阻多少钱一个？欢迎咨询江苏新普瑞金属材料科技有限公司。无锡光敏电阻批发价格

使引线电阻不随温度变化而引入的引线电阻误差的影响减小很多。三线制铂热电阻，在二次仪表中，均有可变阻值的电桥，根据所配合的铂热电阻的量程不同，可以对二次仪表的电桥中的铂热电阻进行微调，能进行更精确的测量。热电阻温度计分度新方法：工业铂电阻温度计是一种被使用的测温仪器。长期以来，国内外相关标准或技术规范中普遍采用CVD方程的计算方法对其进行检定分度。但采用CVD方程检定分度的工业铂电阻温度计准确度不高、稳定性低、不确定度较大，无法作为传递标准使用。为此，多数工业测温领域或要求不高的实验室只能采用精度较高的标准铂电阻温度计作为溯源传递标准，但实际工业测温领域由于各种条件限制，标准铂电阻温度计无法使用，使得温度量值传递和溯源在这些地方无法实现，不能开展实际的计量校准工作。对工业铂热电阻温度计进行检定分度的可行性，并与普遍采用的CVD方程给出的温度—电阻关系计算结果相比较，进而给出二者存在的差异，探讨建立精密工业铂电阻温度计作为传递标准的途径与方法。通过对不同型号、不同厂家制造的多支工业铂热电阻在不同温区分别开展研究和分析，给出每支温度计的实验结果、数据曲线及采用两种不同方法分度所引起的测量误差。无锡光敏电阻批发价格电阻多少钱一个？欢迎咨询江苏新普瑞。

包括低温度系数(0°C至+60°C为ppm/°C)，误差达到±%(采用密封时低至±%)，负载寿命稳定性在70°C，额定加电2000小时的情况下达到±%(50ppm)，电阻间一致性在0°C至+60°C时为ppm/°C，抗ESD高达25kV。性能要求?当然并非每位设计师的电路都需要全部高性能参数。技术规格相当差的电阻同样可以用于大量应用中，这方面的问题分为四类：(1)现有应用可以利用大金属箔电阻的全部性能升级。(2)现有应用需要一个或多个，但并非全部“行业”性能参数。(3)先进的电路只有利用精密电阻改进的技术规格才能开发。(4)有目的地提前计划使用精密电阻满足今后升级要求(例如，利用电阻而不是有源器件保持电路精度，从而节省成本，否则为了略微提高性能则要增加成本)。

在选择时如果测量温度在200℃左右就应该选择热电阻测量，如果测量温度在600℃就应该选择K型热电偶，如果测量温度在1200~1600℃就应该选择S型或者B型热电偶。热电阻与热电偶相比有以下特点：1、同样温度下输出信号较大，易于测量。2、测电阻必须借助外加电源。3、热电阻感温部分尺寸较大，而热电偶工作端是很小的焊点，因而热电阻测温的反应速度比热电偶慢；4、同类材料制成的热电阻不如热电偶测温上限高。热电偶和热电阻区别:热电阻（图11）、信号的性质，热电阻本身是电阻，温度的变化，使电阻产生正的或者是负的阻值变化；而热电偶是产生感应电压的变化，他随温度的改变而改变..虽然都是接触式测温仪表，但它们的测温范围不同，热电偶使用在温度较高的环境，如铂铑30---铂铑6(B型)测量范围为300度~~1600度，短期可测1800度。S型测一20~~1300(短期1600),K型测一50~~1000，短期1200).XK型一50~~600(800),E型一40~~800(900).还有J型，T型等。这类仪表一般用于500度以上的较高温度，低温区时输出热电势很，当电势小时，对抗干扰措施和二次表和要求很高，否则测量不准，还有，在较低的温度区域，冷端温度的变化和环境温度的变化所引起的相对误差就显得很突出，不易得到全补偿。电阻厂家直销。欢迎咨询江苏新普瑞金属材料科技有限公司。

常用电阻特性优缺点比较近二十年来，电子工业以惊人的速度发展。新技术的进步在减小设备尺寸的同时，也加大了分立元件制造商开发理想性能器件的压力。在这些器件中，晶片电阻当前始终保持很高的需求，并且是许多电路的基础构件。它们的空间利用率优于分立式封装电阻，减少了组装前期准备的工作量。随着应用的普及，晶片电阻具有越来越重要的作用。主要参数包括ESD保护、热电动势(EMF)、电阻热系数(TCR)、自热性、长期稳定性、功率系数和噪声等。以下技术对比中将讨论线绕电阻在精密电路中的应用。不过请注意，线绕电阻没有晶片型，因此，受重量和尺寸限制需要采用精密晶片电阻的应用不使用这种电阻。尽管升级每个组件或子系统可以提高整体性能，但整体性能仍是由组件链中的短板决定的。系统中的每个组件都具有关系到整体性能的内在优缺点，特别是短期和长期稳定性、频响和噪声等问题。分立式电阻行业在线绕电阻、厚膜电阻、薄膜电阻和金属箔电阻技术方面取得了进步，而从单位性能成本考虑，每种电阻都有许多需要加以权衡的因素。各种电阻技术的优缺点如表1所示，表中给出了热应力和机械应力对电阻电气特性的影响。表1:不同类型电阻的特性应力。江苏新普瑞金属材料科技有限公司的电阻批发价格。无锡压敏电阻批发价格

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因此它们的工作稳定性不一样，设计的电阻比在设备生命周期中会发生很大变化。TCR特性和比率对于高精度电路极为重要。传统线绕电阻加工方法不能消除缠绕、封装、插入和引线成型工艺中产生的各种应力。固定过程中，轴向引线往往采用拉紧工艺，通过机械力加压封装。这两种方法会改变电阻，无论加电或不加电。从长期角度看，由于电阻丝调整为新的形状，线绕元件会发生物理变化。薄膜电阻薄膜电阻由陶瓷基片上厚度为50Å至250Å的金属沉积层组成(采用真空或溅射工艺)。薄膜电阻单位面积阻值高于线绕电阻或BulkMetal®金属箔电阻，而且更为便宜。在需要高阻值而精度要求为中等水平时，薄膜电阻更为经济并节省空间。它们具有温度敏感沉积层厚度，但薄膜厚度产生的电阻值严重限制了可能的电阻值范围。因此，采用各种沉积层厚度可以实现不同的电阻值范围。薄膜电阻的稳定性受温度上升的影响。薄膜电阻稳定性的老化过程因实现不同电阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整个电阻范围内是可变的。这种化学/机械老化还包括电阻合金的高温氧化。此外，改变薄膜厚度还会严重影响TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化，因此高阻值薄膜电阻退化率非常高。由于金属量少。无锡光敏电阻批发价格

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